2009年4月25日星期六
[转载][资料]内存芯片型号识别
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国[含台湾省]厂家等等。
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下:
现代电子HYUNDAI:HY[注:代号]
三星SAMSUNG:KM或M
NBM:AAA
西门子SIEMENS:HYB
高士达LG-SEMICON:GM
HITSUBISHI:M5M
富士通FUJITSU:MB
摩托罗拉MOTOROLA:MCM
MATSUSHITA:MN
OKI:MSM
美凯龙MICRON:MT
德州仪器TMS:TI
东芝TOSHIBA:TD或TC
日立HITACHI:HM
STI:TM
日电NEC:uPD
IBM:BM
NPNX:NN
一.日本产系列: 主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi[三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。 1.HITACHI[日立]。 日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外频, HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式: HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度: 75:7.5ns[133MHz] 80:8ns[125MHz] A60:10ns[PC-100 CL2或3] B60:10ns[PC-100 CL3] 例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式: μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX μPD4代表是NEC的产品。 "5"代表是SDRAM。 第1、2个X代表容量。 第3或4个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时,使用两位,即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定,这会对下面的数字造成影响。 第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;"2"代表2个Bank。 第5个X,如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片,第5个X已被占用,则第5个X有双重含义,如"1"代表2个Bank和LVTTL,"3"代表4个Bank和LVTTL。 G5为TSOPII封装。 -A后的XX是代表速度: 80:8ns[125MHz] 10:10ns[PC100 CL 3] 10B:10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范。 12:12ns 70:[PC133] 75:[PC133] 速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白则为普通。 -XXX:第一人X通常为数字,如64Mbit芯片上常为准,16Mbit芯片上常为7,规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关:"NF"对应: 44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pin TSOPII;"JH"对应86-pin TSOP-II。 例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2。 3.TOSHIBA东芝。 TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式: TC59S XX XX X FT X-XX TC代表是东芝的产品。 59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM,R为Rambus SDRAM,W为DDR SDRAM。 第1、2个X代表容量。64为64Mbit,M7为128Mbit。 第3、4个X表示数据位宽,04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。 FT为TSOPII封装。 FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。 最后的XX是代表速度: 75:7.5ns[133MHz] 80:8ns[125MHz] 10:10ns[100MHz CL="3"] 例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且为低功耗型号。
[转载][资料]内存芯片参数介绍
转自:http://bbs.dzsc.com/space/viewspacepost.aspx?postid=19738
具体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义: HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM); 3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
Infineon(亿恒)
Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz; -8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如: 1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注: KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度; KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度; KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度; KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度; KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率: -7A——PC133 /CL=2; -7——PC133 /CL=3; -8A——PC100/ CL=2; -8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。
Micron(美光)
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。含义: MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式,TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。
Winbond(华邦)
含义说明: W XX XX XX XX 1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;
4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz