[转载][资料]内存芯片型号识别

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内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国［含台湾省］厂家等等。
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 　　
现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 　　
三星SAMSUNG：KM或M 　　
NBM：AAA 　　
西门子SIEMENS：HYB 　　
高士达LG-SEMICON：GM 　　
HITSUBISHI：M5M 　　
富士通FUJITSU：MB 　　
摩托罗拉MOTOROLA：MCM 　　
MATSUSHITA：MN 　　
OKI：MSM 　　
美凯龙MICRON：MT 　　
德州仪器TMS：TI 　　
东芝TOSHIBA：TD或TC 　　
日立HITACHI：HM 　　
STI：TM 　　
日电NEC：uPD 　　
IBM：BM 　　
NPNX：NN 　　

一.日本产系列： 　　主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 　　1.HITACHI［日立］。 　　日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， 　　HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： 　　HM 52 XX XX 5 X X TT-XX 　　HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 　　第1、2个X代表容量。 　　第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 　　第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 　　第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 　　TT为TSOII封装。 　　最后XX代表速度： 　　75：7.5ns［133MHz］ 　　80：8ns［125MHz］ 　　A60：10ns［PC-100 CL2或3］ 　　B60：10ns［PC-100 CL3］ 　　例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 　　2.NEC。 　　NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： 　　μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX 　　μPD4代表是NEC的产品。 　　"5"代表是SDRAM。 　　第1、2个X代表容量。 　　第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。 　　第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。 　　第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。 　　G5为TSOPII封装。 　　-A后的XX是代表速度： 　　80：8ns［125MHz］ 　　10：10ns［PC100 CL 3］ 　　10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。 　　12：12ns 　　70：［PC133］ 　　75：［PC133］ 　　速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 　　-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。 　　例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。 　　3.TOSHIBA东芝。 　　TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式： 　　TC59S XX XX X FT X-XX 　　TC代表是东芝的产品。 　　59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。 　　第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。 　　第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 　　第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。 　　FT为TSOPII封装。 　　FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 　　最后的XX是代表速度： 　　75：7.5ns［133MHz］ 　　80：8ns［125MHz］ 　　10：10ns［100MHz CL="3"］ 　　例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。

[转载][资料]内存芯片参数介绍

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具体含义解释：　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
　　第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。　　第2位——芯片类型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
　　第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
　　第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。
　　第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
　　知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

　注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义：　　HY5DV641622AT-36　　HY XX X XX XX XX X X X X X XX　　1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12　　1、HY代表是现代的产品 　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　 　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2
　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A
Infineon（亿恒）
　　Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
　　HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
　　Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
　　-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；　　-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：　　1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
　　1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
　　KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
　　Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：　　KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；　　KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；　　KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；　　KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；　　KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
　　Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：　　-7A——PC133 /CL=2；　　-7——PC133 /CL=3；　　-8A——PC100/ CL=2；　　-8——PC100 /CL=3。
　　例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
　　以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。含义：　　MT——Micron的厂商名称。　　48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。　　LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。　　16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。　　A2——内存内核版本号。　　TG——封装方式，TG即TSOP封装。　　-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
　　实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
　　其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：　　W XX XX XX XX 　　1 2 3 4 5
　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM　
　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz